家庭物联网

消费者的需求和依赖更加智能, 功能丰富的联网物联网设备继续增长, 随着5G、更广泛的覆盖范围和转型的用户体验,它有望带来更多需求. 与需求, 然而, 在降低成本和功耗的同时,提供日益复杂的物联网设备的挑战也随之而来.

Audio & 显示

更身临其境的AV/VR和混合现实体验. 超高分辨率显示器和先进的成像技术,使惊人的视觉细节和色彩成为可能, 在家里,在路上. 更智能的音频, 可听设备和可穿戴设备提供先进的功能和无忧的电池寿命. 消费者对这些产品的期望从未如此之高,而GlobalFoundries® (GF®)已准备好应用优化的解决方案组合,以帮助芯片设计师, 甚至打, 预期.

音频和显示 / 智能音频/可听soc使用22FDX®RF与eMRAM

智能音频/可听soc使用22FDX®RF与eMRAM

全球铸造厂的22FDX®射频解决方案具有一流的漏电和功耗优势,可将电池寿命延长两倍,并结合丰富的功能集® (GF®)是真正的无线立体声(TWS) SoC应用的卓越选择. 设计人员可以利用卓越的射频性能实现无缝无线连接, 性能和面积优化的数字元件增强了人工智能能力,优化的eMRAM可以取代嵌入式闪存,节省面积和电力.

集成, single-chip 解决方案 built on 22FDX® RF enable designers to reduce the BOM for smart audio/hearables by > 10 chips.

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耳麦
优化的移动音频

22FDX®RF提供卓越的有功功率(0.4 V), ultra-low leakage (<1 pA/µm), and excellent area efficiency (> 5M gates/mm2), 结合业界领先的模拟能力(噪声, 不匹配, 短沟道效应).

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向上和向右的箭头
提升音频体验

22FDX®是单片TWS解决方案的优秀选择, 使设计人员能够利用优越的射频PA性能, LDMOS (5 V-6.5 V)集成电池充电器和电源管理功能,以及合格的eMRAM解决方案,以提升用户体验.

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速度计
更快的上市时间

22至于®, 设计师利用经过硅验证的元素, 包括低泄漏和低功耗设计库, 自适应体偏置电源状态节流和广泛的内存选项(OTP/MTP/eMRAM),以及连接性和安全性ip,以实现差异化和市场优势.

音频和显示 / 音频CODECs,前置放大器和麦克风控制器使用22FDX®和55nm BCDLite®

音频CODECs,前置放大器和麦克风控制器使用22FDX®和55nm BCDLite®

GlobalFoundries® (GF®) 22FDX®(22nm FD-SOI)解决方案独特地提供高性能和低功耗, 提供一流的泄漏和显著延长电池寿命. 22FDX®具有增强的噪声性能和建模,以减少不必要的背景噪声. 低闪变噪声器件特性使音频前置放大器集成, 5v LDMOS允许直接连接电池,以优化电池寿命. 芯片设计者也可以利用磁阻非易失性存储器(eMRAM)的简单优势, 高容量上存储, 具有高性能和耐力, 所有这些都在一个设备中. 

GF 55nm BCDLite解决方案为需要成本效益的产品进行了优化, 混合信号(A/D)能力, 在对空间的设计. 它支持跨电压范围的音频/麦克风控制器应用程序,从0.9v至30v,满足高动态范围要求. 该解决方案结合了低功耗逻辑, 低漏源电阻, 先进的电源监控和嵌入式内存功能.

处理一个主动降噪的音乐流只消耗了GAP9 (Greenwaves的可听平台)不到10%的资源, 为显著提高音频舒适度或其他尖端功能留下了很大的空间, 同时简化了它们的发展. 女朋友的22个社®平台, 以其令人难以置信的性能, 超低功率容量, 低漏电流, 和灵活性, 对BG真人实现业绩目标有帮助吗.

——卢Lietar 
首席执行官GreenWaves技术

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权力 & area-efficient,加上

With superior active power and ultra-low leakage (<1 pA/µm) capabilities, 22FDX®具有显著的功率优势, 包括一个0.4 V Vdd operating voltage, while also delivering excellent area efficiency (> 5M gates/mm2).

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平衡性能 & 成本

低R和超低RDSon 与之前的GF BCDLite工艺相比,55 nm BCDLite上的功率fet提供了30%至47%的开路电阻降低,模具成本和转换效率优势.

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分化 & 可靠性

22FDX®使设计师能够利用硅验证元件, 包括电源状态节流的自适应体偏置和广泛的内存选项(OTP/MTP/eMRAM),以及连接性和安全性ip,以实现差异化和上市时间优势. GF 55 nm BCDLite 解决方案 are in high-volume production and feature world-class D0 (< 0.04 def /2)缺陷密度.

计算

今天的物联网设备因新的智能水平而增强. 随着人们对人脸等智能功能的需求不断增加,这些设备的复杂性也在不断增加, 语音和物体识别能力增长, 随着处理和智能反应的发展. 同时,保护用户的数字身份仍然是一个关键问题.

GlobalFoundries® (GF®)理解相关的超低功率, 高性能和安全性需求是实现这些价值优化的关键, 更智能的消费者物联网设备是半导体芯片设计师的首要考虑, 并准备了一系列特定于处理的解决方案可供选择.

 

“BG真人的目标是为边缘推理处理器固有的一些关键挑战带来设计创新. 这也是BG真人选择GF作为铸造厂的原因.”

——史蒂夫·泰格(Steve Teig), Perceive公司CEO

 

计算 / 物联网单片机

消费者物联网mcu使用22FDX®FD-SOI & 40/110/150纳米块状CMOS

GlobalFoundries® (GF®)提供一系列针对性优化的消费物联网MCU解决方案, 使设计师能够满足该区域, 性能, 硬件的功率和成本目标.

基于22fdx的物联网mcu的出货量已超过1亿块.

27 MCU新产品引进采用22FDX®,具有100%的首次样机成功.

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满足竞争的需求

女朋友的40纳米, 110 nm和150 nm溶液, 构建在大型CMOS平台上, 提供高价值, 功能丰富的, 功耗优化和低掩模计数选项,用于开发对成本敏感的消费者物联网mcu. 设计师可以利用供应商的诚信为一时的市场优势.

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目的建立

22FDX®提供完整的SoC集成(eMRAM, 一个芯片上的模拟功率和射频元件), logic scaling (for AI and security features) for > 20% smaller footprint* and lower BOM 成本s. The unique 22FDX® SOI architecture gives designers additional power mode throttling capabilities with easy to use back-gate biasing 解决方案 to reduce power > 50%* to extend battery life without compromising 性能.

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方格里有四个正方形和一个圆圈
区分有信心

丰富的mcu优化IP和参考设计组合,帮助客户从竞争中脱颖而出, 更快地进入市场.

*与22纳米CMOS相比.

计算 / 边缘AI加速器使用12LP/12LP+和22FDX®

边缘AI加速器使用12LP/12LP+和22FDX®

GlobalFoundries的12LP/12LP+ FinFET和22FDX®FD-SOI边缘AI加速器解决方案® (GF®)被优化以减少延迟和可操作的响应时间, 哪些可以通过边缘管理数据来增强安全性和数据隐私. 这种专门设计的解决方案结合了功率谱, 性能和区域优势,使芯片设计师能够选择最适合他们的独立或嵌入式人工智能soc.

22FDX®比目前行业领先的AI加速器产品节能高达1000倍*

12LP/12LP+提供了ai优化的性能,具有与7 nm相同的全球路由能力, 所以你可以更聪明地设计, 不是小.

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人工智能图标
在边缘加速人工智能

GF 12LP/12LP+和22FDX®解决方案经过优化,提供您需要的性能马力,以处理在边缘的AI推理需求, 而不是在数据中心.

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带避雷针的电池
解决权力挑战

利用22FDX®的低动态功率和一流的泄漏功率, 12LP/12LP+具有优异的热性能,以及12LP+和22FDX®提供的低压SRAM,以降低交流有线或电池供电设备的功耗.

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方格里有四个正方形和一个圆圈
区分有信心

利用ai调节功能的组合, 包括AI参考包,可与12LP/12LP+和eMRAM AI存储核心,可在汽车一级合格的22FDX®中脱颖而出.

*假设边缘设备的典型功耗为10到数百瓦. 22FDX®可实现20毫瓦的功耗.

无线连接

而无线连接正在普及, 蓝牙标准的发展, 全球定位系统(GPS), Wi-Fi和Zigbee加上5G硬件的加速推出增加了复杂性. 以天为单位衡量电池寿命,以应对在收缩的形式因素中处理多种标准的挑战, 而不是时间——需要在无线SoC架构上创新的新途径.

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无线wifi统计
>40 billion

到2025年,将有超过400亿台联网物联网设备.*

无线连接 / 无线连接使用22FDX®RF

无线连接使用22FDX®RF

消费类物联网硬件对性能、功率、面积和成本都很敏感. 所有这些都足够可靠,经得起持续使用.

来自GlobalFoundries的22FDX®射频解决方案® (GF®), 基于22纳米FD-SOI平台, 使设计师能够利用卓越的功率效率和性能,同时将多个功能集成到一个芯片的显著区域和BOM成本优势. 因为22FDX®是汽车一级合格, 该解决方案提供了消费者物联网应用所依赖的高可靠性.

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空间 & 权力的守财奴

22FDX® RF enables the industry’s only single-chip modem for > 20% area savings, 而自适应车身偏置使设计师能够削减30%的动态功率和60%的泄漏功率.*

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针对消费者物联网进行优化

利用22FDX®RF提供的物联网特定功能和功能, 包括一流的射频灵敏度, eMRAM和直接电池连接PMIC集成.

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注入创新

利用FDXcelerator™生态系统, 一个全面的, 硅验证的IP组合和参考设计,以区分今天, 并利用强大的FDX™路线图到12纳米规划下一代, future-ready芯片.

*与22纳米CMOS相比,面积更小. 与12 nm FinFET相比,动态和泄漏功率降低.